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老考虑到采用变压器的逆变电路中变压器的能耗问题，拓扑结构采用了无变压器的逆变电路，其结构如图3 所示，由蓄电池或光伏阵列出来的直流电经过直流升压后，再经过逆变滤波，转化为负载可以直接利用的交流电。单相逆变器一般有三种结构形式：推挽式、半桥式、全桥式，其中推挽式电路中的开关管需要承受两倍的直流电压，选择开关管相对困难，且变压器的利用相率较低，一定程度上降低了整个逆变系统的效率;半桥式电路要想得到与推挽、全桥同样的功率，开关管需要承受两倍电流。全桥式逆变电路克服了以上两种结构的缺点，其开关管的稳态工作电压等于直流输入电压，同样功率下，开关管的电流比半桥式小了一半，所以在此采用全桥逆变的结构形式。逆变主电路包含两部分，DC-DC 升压部分和单相全桥逆变部分。
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功率场效应管（MOSFET）是应用较多的开关器件，它有较高的开关速度，但同时也有较大的寄生电容。它关断时，在外电压的作用下，其寄生电容充满电，如果在其开通前不将这一部分电荷放掉，则将消耗于器件内部，这是容性开通损耗。
